IXKP10N60C5

IXYS

IXKP10N60C5

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB

УстаревшийTO-220-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs385mOhm @ 5.2A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds790 pF @ 100 V
ПроизводительIXYS
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusObsolete
СерияCoolMOS™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 340µA

Электрические

Напряжение сток-исток600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-220-3
Корпус производителяTO-220-3

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)