IXKC25N80C

IXYS

IXKC25N80C

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS220

УстаревшийISOPLUS220™Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs150mOhm @ 18A, 10V
FET FeatureSuper Junction
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4600 pF @ 25 V
ПроизводительIXYS
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusObsolete
СерияCoolMOS™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 2mA

Электрические

Напряжение сток-исток800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C25A (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseISOPLUS220™
Корпус производителяISOPLUS220™

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)