IXFX80N60P3

IXYS

IXFX80N60P3

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 600V 80A PLUS247-3

В производствеTO-247-3 VariantАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs70mOhm @ 500mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds13100 pF @ 25 V
ПроизводительIXYS
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
СерияHiPerFET™, Polar3™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 8mA

Электрические

Напряжение сток-исток600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C80A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность1300W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-247-3 Variant
Корпус производителяPLUS247™-3

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)