IXFX32N100P

IXYS

IXFX32N100P

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247-3

В производствеTO-247-3 VariantАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs320mOhm @ 16A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds14200 pF @ 25 V
ПроизводительIXYS
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
СерияHiPerFET™, Polar
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id6.5V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток1000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C32A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность960W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-247-3 Variant
Корпус производителяPLUS247™-3

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)