IXFX250N10P

IXYS

IXFX250N10P

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 100V 250A PLUS247-3

В производствеTO-247-3 VariantАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs6.5mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds16000 pF @ 25 V
ПроизводительIXYS
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
СерияHiPerFET™, Polar
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C250A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность1250W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-247-3 Variant
Корпус производителяPLUS247™-3

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)