IXFT60N50P3

IXYS

IXFT60N50P3

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 500V 60A TO268

В производствеTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AAАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 30A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6250 pF @ 25 V
ПроизводительIXYS
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияHiPerFET™, Polar3™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 4mA

Электрические

Напряжение сток-исток500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C60A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность1040W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Корпус производителяTO-268AA

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)