IXFT30N60P

IXYS

IXFT30N60P

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 600V 30A TO268

УстаревшийTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AAАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs240mOhm @ 15A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4000 pF @ 25 V
ПроизводительIXYS
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияHiPerFET™, Polar
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 4mA

Электрические

Напряжение сток-исток600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность500W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Корпус производителяTO-268AA

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)