Общие
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 490mOhm @ 12A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 140 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7200 pF @ 25 V |
| Производитель | IXYS |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Статус позиции | В производстве |
| Серия | HiPerFET™, Q3 Class |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 6.5V @ 4mA |