IXFR200N10P

IXYS

IXFR200N10P

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 100V 133A ISOPLUS247

В производствеTO-247-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs9mOhm @ 100A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs235 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7600 pF @ 25 V
ПроизводительIXYS
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
СерияHiPerFET™, Polar
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 8mA

Электрические

Напряжение сток-исток100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C133A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность300W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-247-3
Корпус производителяISOPLUS247™

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)