IXFR102N30P

IXYS

IXFR102N30P

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 300V 60A ISOPLUS247

В производствеTO-247-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs36mOhm @ 51A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs224 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7500 pF @ 25 V
ПроизводительIXYS
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
СерияHiPerFET™, Polar
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 4mA

Электрические

Напряжение сток-исток300 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C60A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность250W (Tc)

Механические

КорпусBox
Package / CaseTO-247-3
Корпус производителяISOPLUS247™

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)