Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 25A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2100 pF @ 25 V |
| Производитель | IXYS |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Статус позиции | В производстве |
| Серия | HiPerFET™, Ultra X3 |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
| Напряжение сток-исток | 200 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 240W (Tc) |
| Package / Case | TO-220-3 |
|---|---|
| Корпус производителя | TO-220-3 (IXFP) |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|