IXFN32N120

IXYS

IXFN32N120

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B

Снят с производстваSOT-227-4, miniBLOCАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs350mOhm @ 500mA, 10V
Базовый Part NumberIXFN32
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs400 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds15900 pF @ 25 V
ПроизводительIXYS
Тип монтажаChassis Mount
Product StatusNot For New Designs
СерияHiPerFET™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 8mA

Электрические

Напряжение сток-исток1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C32A

Механические

КорпусBox
Package / CaseSOT-227-4, miniBLOC
Корпус производителяSOT-227B