IXFA6N120P

IXYS

IXFA6N120P

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 1200V 6A TO263

В производствеTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.4Ohm @ 500mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2830 pF @ 25 V
ПроизводительIXYS
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияHiPerFET™, Polar
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность250W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Корпус производителяTO-263AA (IXFA)

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)