Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Gate Charge | 425 nC |
|---|---|
| Тип входа | Standard |
| Производитель | IXYS |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 864 ns |
| Серия | BIMOSFET™ |
| Switching Energy | 23mJ (on), 2.6mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 33ns/370ns |
| Test Condition | 1500V, 20A, 3Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 6V @ 15V, 20A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 3000 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 430 A |
| Power - Max | 417 W |
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | ISOPLUSi5-Pak™ |
| Корпус производителя | ISOPLUSi5-Pak™ |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|