Общие
| Gate Charge | 335 nC |
|---|---|
| Тип входа | Standard |
| Производитель | IXYS |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 1.9 µs |
| Серия | BIMOSFET™ |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 55A |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 3000 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 86 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 600 A |
| Power - Max | 357 W |
Механические
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | i4-Pac™-5 (3 Leads) |
| Корпус производителя | ISOPLUS i4-PAC™ |
Среда
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|