Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Gate Charge | 200 nC |
|---|---|
| Тип входа | Standard |
| Производитель | IXYS |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 1.7 µs |
| Серия | BIMOSFET™ |
| Td (on/off) @ 25°C | 72ns/445ns |
| Test Condition | 1500V, 42A, 20Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 42A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 3000 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 60 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 380 A |
| Power - Max | 240 W |
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | i4-Pac™-5 (3 Leads) |
| Корпус производителя | ISOPLUS i4-PAC™ |
| Рабочая температура | -55°C~150°C(TJ) |
|---|