IXDN609SI

IXYS Integrated Circuits Division

IXDN609SI

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

В производстве8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberIXDN609
Channel TypeSingle
Driven ConfigurationLow-Side
Gate TypeIGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Тип входаNon-Inverting
ПроизводительIXYS Integrated Circuits Division
Тип монтажаSurface Mount
Number of Drivers1
Product StatusActive
Rise / Fall Time (Typ)22ns, 15ns

Электрические

Current - Peak Output (Source, Sink)9A, 9A
Logic Voltage - VIL, VIH0.8V, 3V
Напряжение питания4.5V ~ 35V

Механические

КорпусTube
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Корпус производителя8-SOIC-EP

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)