FMM60-02TF

IXYS

FMM60-02TF

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 200V 33A I4-PAC

В производствеi4-Pac™-5Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs40mOhm @ 30A, 10V
Базовый Part NumberFMM60
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs90nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3700pF @ 25V
ПроизводительIXYS
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
СерияHiPerFET™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C33A
Power - Max125W

Механические

КорпусTube
Package / Casei4-Pac™-5
Корпус производителяISOPLUS i4-PAC™

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)