Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 120A, 10V |
|---|---|
| Базовый Part Number | FMM |
| Конфигурация | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 225nC @ 10V |
| Производитель | IXYS |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Напряжение сток-исток | 75V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 150A |
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | i4-Pac™-5 |
| Корпус производителя | ISOPLUS i4-PAC™ |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
|---|