Общие
| Тип памяти | Volatile |
|---|---|
| Технология | SRAM - Asynchronous |
| Время доступа | 10 ns |
| Производитель | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Время цикла записи | 10ns |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61WV25616FALL-10BLI
DatasheetПамять и хранение данных
4Mb,High-Speed/Low Power,Async,2
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Объем памяти | 4Mbit |
|---|---|
| Формат памяти | SRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Напряжение питания | 1.65V ~ 2.2V |
| Memory Organization | 256K x 16 |
Механические
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 48-TFBGA |
| Корпус производителя | 48-TFBGA (6x8) |
Среда
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C (TA) |
|---|