Общие
| Тип памяти | Volatile |
|---|---|
| Технология | RLDRAM 2 |
| Время доступа | 15 ns |
| Производитель | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x9, Sep
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Тип памяти | Volatile |
|---|---|
| Технология | RLDRAM 2 |
| Время доступа | 15 ns |
| Производитель | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Объем памяти | 576Mbit |
|---|---|
| Формат памяти | DRAM |
| Memory Interface | HSTL |
| Тактовая частота | 533 MHz |
| Напряжение питания | 1.7V ~ 1.9V |
| Memory Organization | 64M x 9 |
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 144-TFBGA |
| Корпус производителя | 144-TWBGA (11x18.5) |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C (TA) |
|---|