Общие
| Тип памяти | Volatile |
|---|---|
| Технология | SDRAM - DDR3 |
| Время доступа | 20 ns |
| Производитель | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Серия | Automotive, AEC-Q100 |
| Время цикла записи | 15ns |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS46TR16512B-125KBLA1
DatasheetПамять и хранение данных
Automotive (Tc: -40 to +95C), 8G
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Объем памяти | 8Gbit |
|---|---|
| Формат памяти | DRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Тактовая частота | 800 MHz |
| Напряжение питания | 1.425V ~ 1.575V |
| Memory Organization | 512M x 16 |
Механические
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 96-TFBGA |
| Корпус производителя | 96-TWBGA (10x14) |
Среда
| Рабочая температура | -40°C ~ 95°C (TC) |
|---|