Общие
| Тип памяти | Volatile |
|---|---|
| Технология | SDRAM - DDR3L |
| Время доступа | 20 ns |
| Производитель | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Время цикла записи | 15ns |

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
2G, 1.35V, DDR3L, 256Mx8, 1600MT
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Тип памяти | Volatile |
|---|---|
| Технология | SDRAM - DDR3L |
| Время доступа | 20 ns |
| Производитель | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Время цикла записи | 15ns |
| Объем памяти | 2Gbit |
|---|---|
| Формат памяти | DRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Тактовая частота | 800 MHz |
| Напряжение питания | 1.283V ~ 1.45V |
| Memory Organization | 256M x 8 |
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 78-TFBGA |
| Корпус производителя | 78-TWBGA (8x10.5) |
| Рабочая температура | 0°C ~ 95°C (TC) |
|---|