ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGA
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Тип памяти | Volatile |
|---|---|
| Технология | SDRAM - DDR3 |
| Время доступа | 20 ns |
| Базовый Part Number | IS43TR16640 |
| Производитель | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Серия | Automotive, AEC-Q100 |
| Время цикла записи | 15ns |
| Объем памяти | 1Gbit |
|---|---|
| Формат памяти | DRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Тактовая частота | 800 MHz |
| Напряжение питания | 1.425V ~ 1.575V |
| Memory Organization | 64M x 16 |
| Корпус | Tray |
|---|---|
| Package / Case | 96-TFBGA |
| Корпус производителя | 96-TWBGA (9x13) |
| Рабочая температура | 0°C~95°C(TC) |
|---|