Общие
| Тип памяти | Volatile |
|---|---|
| Технология | SDRAM - DDR3 |
| Время доступа | 20 ns |
| Производитель | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Время цикла записи | 15ns |

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC DRAM 1GBIT PAR 96TWBGA
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Тип памяти | Volatile |
|---|---|
| Технология | SDRAM - DDR3 |
| Время доступа | 20 ns |
| Производитель | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Время цикла записи | 15ns |
| Объем памяти | 1Gbit |
|---|---|
| Формат памяти | DRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Тактовая частота | 1.066 GHz |
| Напряжение питания | 1.425V ~ 1.575V |
| Memory Organization | 64M x 16 |
| Корпус | Tray |
|---|---|
| Package / Case | 96-TFBGA |
| Grade | Automotive |
|---|---|
| Рабочая температура | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Qualification | AEC-Q100 |