Общие
| Тип памяти | Volatile |
|---|---|
| Технология | SDRAM - DDR3 |
| Время доступа | 20 ns |
| Производитель | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка | Tray |
| Статус позиции | В производстве |
| Время цикла записи | 15ns |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16128D-093NBLI
DatasheetПамять и хранение данных
IC DRAM 2GBIT PAR 96TWBGA
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Объем памяти | 2Gbit |
|---|---|
| Формат памяти | DRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Тактовая частота | 1.066 GHz |
| Напряжение питания | 1.425V ~ 1.575V |
| Memory Organization | 128M x 16 |
Механические
| Package / Case | 96-TFBGA |
|---|
Среда
| Grade | Automotive |
|---|---|
| Рабочая температура | -40°C ~ 95°C (TC) |
| Qualification | AEC-Q100 |