Общие
| Тип памяти | Volatile |
|---|---|
| Технология | SDRAM - DDR4 |
| Время доступа | 19 ns |
| Производитель | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Время цикла записи | 15ns |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43QR85120B-075UBL-TR
DatasheetПамять и хранение данных
4G, 1.2V, DDR4, 512Mx8, 2666MT/s
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Объем памяти | 4Gbit |
|---|---|
| Формат памяти | DRAM |
| Memory Interface | POD |
| Тактовая частота | 1.333 GHz |
| Напряжение питания | 1.14V ~ 1.26V |
| Memory Organization | 512M x 8 |
Механические
| Корпус | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | 78-TFBGA |
| Корпус производителя | 78-TWBGA (10x14) |
Среда
| Рабочая температура | -40°C ~ 95°C (TC) |
|---|