ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC DRAM 512MBIT PAR 90TFBGA
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Тип памяти | Volatile |
|---|---|
| Технология | SDRAM - Mobile LPDDR |
| Время доступа | 5.5 ns |
| Базовый Part Number | IS43LR32160 |
| Производитель | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Статус позиции | В производстве |
| Время цикла записи | 12ns |
| Объем памяти | 512Mbit |
|---|---|
| Формат памяти | DRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Тактовая частота | 166 MHz |
| Напряжение питания | 1.7V ~ 1.95V |
| Memory Organization | 16M x 32 |
| Package / Case | 90-TFBGA |
|---|---|
| Корпус производителя | 90-TFBGA (8x13) |
| Рабочая температура | 0°C ~ 70°C (TA) |
|---|