Общие
| Тип памяти | Volatile |
|---|---|
| Технология | SDRAM - Mobile LPDDR |
| Время доступа | 5 ns |
| Производитель | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Время цикла записи | 14.4ns |

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
1G, 1.8V, Mobile DDR, 64Mx16, 20
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Тип памяти | Volatile |
|---|---|
| Технология | SDRAM - Mobile LPDDR |
| Время доступа | 5 ns |
| Производитель | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Время цикла записи | 14.4ns |
| Объем памяти | 1Gbit |
|---|---|
| Формат памяти | DRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Тактовая частота | 208 MHz |
| Напряжение питания | 1.7V ~ 1.95V |
| Memory Organization | 64M x 16 |
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 60-TFBGA |
| Корпус производителя | 60-TFBGA (8x10) |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C (TA) |
|---|