Общие
| Тип памяти | Volatile |
|---|---|
| Технология | SDRAM - Mobile LPDDR |
| Время доступа | 5.5 ns |
| Производитель | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Время цикла записи | 15ns |

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
256M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx16
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Тип памяти | Volatile |
|---|---|
| Технология | SDRAM - Mobile LPDDR |
| Время доступа | 5.5 ns |
| Производитель | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Время цикла записи | 15ns |
| Объем памяти | 256Mbit |
|---|---|
| Формат памяти | DRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Тактовая частота | 166 MHz |
| Напряжение питания | 1.7V ~ 1.95V |
| Memory Organization | 16M x 16 |
| Корпус | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | 60-TFBGA |
| Корпус производителя | 60-TFBGA (8x10) |
| Рабочая температура | 0°C ~ 70°C (TA) |
|---|