Общие
| Тип памяти | Volatile |
|---|---|
| Технология | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Базовый Part Number | IS43LQ16256 |
| Производитель | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка | Tray |
| Статус позиции | В производстве |

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 200VFBGA
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Тип памяти | Volatile |
|---|---|
| Технология | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Базовый Part Number | IS43LQ16256 |
| Производитель | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка | Tray |
| Статус позиции | В производстве |
| Объем памяти | 4Gbit |
|---|---|
| Формат памяти | DRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Тактовая частота | 1.6 GHz |
| Напряжение питания | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V |
| Memory Organization | 256M x 16 |
| Package / Case | 200-WFBGA |
|---|---|
| Корпус производителя | 200-VFBGA (10x14.5) |
| Рабочая температура | -40°C ~ 95°C (TC) |
|---|