Общие
| Тип памяти | Volatile |
|---|---|
| Технология | SDRAM - Mobile LPDDR4X |
| Время доступа | 3.5 ns |
| Производитель | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Время цикла записи | 18ns |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43LQ16128AL-062TBLI-TR
DatasheetПамять и хранение данных
2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Объем памяти | 2Gbit |
|---|---|
| Формат памяти | DRAM |
| Memory Interface | LVSTL |
| Тактовая частота | 1.6 GHz |
| Напряжение питания | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V |
| Memory Organization | 128M x 16 |
Механические
| Корпус | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | 200-TFBGA |
| Корпус производителя | 200-TFBGA (10x14.5) |
Среда
| Рабочая температура | -40°C ~ 95°C (TC) |
|---|