Общие
| Тип памяти | Volatile |
|---|---|
| Технология | SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 |
| Время доступа | 5.5 ns |
| Производитель | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Время цикла записи | 15ns |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43LD32128B-18BPLI
DatasheetПамять и хранение данных
IC DRAM 4GBIT HSUL 12 168VFBGA
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Объем памяти | 4Gbit |
|---|---|
| Формат памяти | DRAM |
| Memory Interface | HSUL_12 |
| Тактовая частота | 533 MHz |
| Напряжение питания | 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V |
| Memory Organization | 128M x 32 |
Механические
| Корпус | Tray |
|---|---|
| Package / Case | 168-VFBGA |
Среда
| Grade | Automotive |
|---|---|
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C (TC) |
| Qualification | AEC-Q100 |