Общие
| Тип памяти | Volatile |
|---|---|
| Технология | SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 |
| Базовый Part Number | IS43LD16640 |
| Производитель | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Время цикла записи | 15ns |

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Тип памяти | Volatile |
|---|---|
| Технология | SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 |
| Базовый Part Number | IS43LD16640 |
| Производитель | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Время цикла записи | 15ns |
| Объем памяти | 1Gbit |
|---|---|
| Формат памяти | DRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Тактовая частота | 533 MHz |
| Напряжение питания | 1.14V ~ 1.95V |
| Memory Organization | 64M x 16 |
| Корпус | Tray |
|---|---|
| Package / Case | 134-TFBGA |
| Корпус производителя | 134-TFBGA (10x11.5) |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C (TA) |
|---|