ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Тип памяти | Volatile |
|---|---|
| Технология | SDRAM - DDR2 |
| Время доступа | 450 ps |
| Базовый Part Number | IS43DR86400 |
| Производитель | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Статус позиции | В производстве |
| Время цикла записи | 15ns |
| Объем памяти | 512Mbit |
|---|---|
| Формат памяти | DRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Тактовая частота | 333 MHz |
| Напряжение питания | 1.7V ~ 1.9V |
| Memory Organization | 64M x 8 |
| Package / Case | 60-TFBGA |
|---|---|
| Корпус производителя | 60-TWBGA (8x10.5) |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C (TA) |
|---|