Общие
| Тип памяти | Volatile |
|---|---|
| Технология | SDRAM - DDR2 |
| Время доступа | 450 ps |
| Базовый Part Number | IS43DR16640 |
| Производитель | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Not For New Designs |
| Время цикла записи | 15ns |

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Тип памяти | Volatile |
|---|---|
| Технология | SDRAM - DDR2 |
| Время доступа | 450 ps |
| Базовый Part Number | IS43DR16640 |
| Производитель | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Not For New Designs |
| Время цикла записи | 15ns |
| Объем памяти | 1Gbit |
|---|---|
| Формат памяти | DRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Тактовая частота | 333 MHz |
| Напряжение питания | 1.7V ~ 1.9V |
| Memory Organization | 64M x 16 |
| Корпус | Tray |
|---|---|
| Package / Case | 84-TFBGA |
| Корпус производителя | 84-TWBGA (8x12.5) |
| Рабочая температура | 0°C~70°C(TA) |
|---|