Общие
| Тип памяти | Volatile |
|---|---|
| Технология | DRAM - EDO |
| Время доступа | 25 ns |
| Базовый Part Number | IS41C16100 |
| Производитель | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Время цикла записи | 85ns |

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Тип памяти | Volatile |
|---|---|
| Технология | DRAM - EDO |
| Время доступа | 25 ns |
| Базовый Part Number | IS41C16100 |
| Производитель | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Время цикла записи | 85ns |
| Объем памяти | 16Mbit |
|---|---|
| Формат памяти | DRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Напряжение питания | 4.5V ~ 5.5V |
| Memory Organization | 1M x 16 |
| Корпус | Tray |
|---|---|
| Package / Case | 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width), 44 Leads |
| Корпус производителя | 50-TSOP II |
| Рабочая температура | -40°C~85°C(TA) |
|---|