Общие
| Тип памяти | Non-Volatile |
|---|---|
| Технология | FLASH - NOR (SLC) |
| Производитель | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Серия | Automotive, AEC-Q100 |
| Время цикла записи | 50µs, 1ms |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS25WP512M-JLLE
DatasheetПамять и хранение данных
512Mb QPI/QSPI, 8-pin WSON 6X8MM
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Объем памяти | 512Mbit |
|---|---|
| Формат памяти | FLASH |
| Memory Interface | SPI - Quad I/O, QPI, DTR |
| Тактовая частота | 112 MHz |
| Напряжение питания | 1.7V ~ 1.95V |
| Memory Organization | 64M x 8 |
Механические
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 8-WDFN Exposed Pad |
| Корпус производителя | 8-WSON (8x6) |
Среда
| Рабочая температура | -40°C ~ 105°C (TA) |
|---|