Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 20A, 20V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2770 pF @ 800 V |
| Производитель | Inventchip |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Технология | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +20V, -5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.2V @ 6mA |
| Напряжение сток-исток | 1200 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 58A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 327W (Tc) |
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-247-3 |
| Корпус производителя | TO-247-3 |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
|---|