HIP6601BECB

Intersil

HIP6601BECB

Аналоговые и силовые компоненты

HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER

Устаревший8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Channel TypeSynchronous
Driven ConfigurationHalf-Bridge
Gate TypeN-Channel MOSFET
Тип входаNon-Inverting
ПроизводительIntersil
Тип монтажаSurface Mount
Number of Drivers2
Product StatusObsolete
Rise / Fall Time (Typ)20ns, 20ns

Электрические

High Side Voltage - Max (Bootstrap)15 V
Напряжение питания10.8V ~ 13.2V

Механические

КорпусTube
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Корпус производителя8-SOIC-EP

Среда

Рабочая температура0°C~125°C(TJ)