Общие
| Тип памяти | Volatile |
|---|---|
| Технология | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR |
| Время доступа | 120 ns |
| Производитель | Intersil |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Время цикла записи | 170ns |

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Тип памяти | Volatile |
|---|---|
| Технология | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR |
| Время доступа | 120 ns |
| Производитель | Intersil |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Время цикла записи | 170ns |
| Объем памяти | 4Kbit |
|---|---|
| Формат памяти | SRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Напряжение питания | 4.5V ~ 5.5V |
| Memory Organization | 4K x 1 |
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 18-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Корпус производителя | 18-CERDIP |
| Рабочая температура | -55°C~125°C(TA) |
|---|