HALF BRIDGE BASED IGBT/MOSFET DR
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Channel Type | 3-Phase |
|---|---|
| Driven Configuration | Half-Bridge |
| Gate Type | IGBT, N-Channel MOSFET |
| Тип входа | Non-Inverting |
| Производитель | International Rectifier |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Number of Drivers | 6 |
| Product Status | Active |
| Rise / Fall Time (Typ) | 125ns, 50ns |
| Current - Peak Output (Source, Sink) | 200mA, 350mA |
|---|---|
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 600 V |
| Logic Voltage - VIL, VIH | 0.8V, 2.5V |
| Напряжение питания | 10V ~ 20V |
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 44-LCC (J-Lead), 32 Leads |
| Корпус производителя | 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58) |
| Рабочая температура | -40°C~125°C(TA) |
|---|