Общие
| Channel Type | Single |
|---|---|
| Driven Configuration | High-Side |
| Gate Type | IGBT, N-Channel MOSFET |
| Тип входа | Inverting |
| Производитель | International Rectifier |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Number of Drivers | 1 |
| Product Status | Active |
| Rise / Fall Time (Typ) | 80ns, 40ns |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Current - Peak Output (Source, Sink) | 290mA, 600mA |
|---|---|
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 600 V |
| Logic Voltage - VIL, VIH | 0.8V, 2.5V |
| Напряжение питания | 10V ~ 20V |
Механические
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус производителя | 8-SOIC |
Среда
| Рабочая температура | -40°C~125°C(TJ) |
|---|