Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 21A, 4.5V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 72 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3770 pF @ 10 V |
| Производитель | International Rectifier |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Серия | HEXFET® |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 50µA |
| Напряжение сток-исток | 20 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 63W (Tc) |
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус производителя | D-PAK (TO-252AA) |
| Рабочая температура | -55°C~150°C(TJ) |
|---|