IRLL024NPBF

Name: IRLL024NPBF
Brand: International Rectifier

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223

В производствеTO-261-4, TO-261AAАналоговые и силовые компоненты

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	65mOhm @ 3.1A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	510 pF @ 25 V
Производитель	International Rectifier
Тип монтажа	Surface Mount
Product Status	Active
Серия	HEXFET®
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±16V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA

Напряжение сток-исток	55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3.1A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность	1W (Ta)

Рабочая температура	-55°C~150°C(TJ)