IRGSL10B6 - DISCRETE IGBT WITH A
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Gate Charge | 38 nC |
|---|---|
| IGBT Type | NPT |
| Тип входа | Standard |
| Производитель | International Rectifier |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 90 ns |
| Switching Energy | 140µJ (on), 250µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 30ns/230ns |
| Test Condition | 400V, 10A, 47Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 22 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 44 A |
| Power - Max | 156 W |
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Корпус производителя | TO-262 |
| Рабочая температура | -55°C~150°C(TJ) |
|---|