INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Gate Charge | 18.2 nC |
|---|---|
| IGBT Type | NPT |
| Тип входа | Standard |
| Производитель | International Rectifier |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 70 ns |
| Switching Energy | 110µJ (on), 135µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 25ns/215ns |
| Test Condition | 400V, 5A, 100Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 13 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 26 A |
| Power - Max | 90 W |
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус производителя | D2PAK |
| Рабочая температура | -55°C~150°C(TJ) |
|---|