Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 58A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 180 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5150 pF @ 50 V |
| Производитель | International Rectifier |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Серия | HEXFET® |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 150µA |
| Напряжение сток-исток | 100 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 88A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 200W (Tc) |
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус производителя | PG-TO263-3-2 |
| Рабочая температура | -55°C~175°C(TJ) |
|---|