IRFL4310PBF

International Rectifier

IRFL4310PBF

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223

В производствеTO-261-4, TO-261AAАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs200mOhm @ 1.6A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds330 pF @ 25 V
ПроизводительInternational Rectifier
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияHEXFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.6A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность1W (Ta)

Механические

КорпусBulk
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA
Корпус производителяSOT-223

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)