IRFHS8342TR2PBF

International Rectifier

IRFHS8342TR2PBF

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 30V 8.8A/19A TSDSON

Устаревший6-PowerVDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs16mOhm @ 8.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds600 pF @ 25 V
ПроизводительInternational Rectifier
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияHEXFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.35V @ 25µA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8.8A (Ta), 19A (Tc)

Механические

КорпусBulk
Package / Case6-PowerVDFN
Корпус производителяPG-TSDSON-6